Технологии за съхранение на данни на база скирмиони през 2025: Квантовият скок, който трансформира решенията за памет от ново поколение. Разгледайте как скирмионите ще нарушат ландшафта на съхранение на данни през следващите пет години.

• Резюме: Съхранение със скирмиони на прага на комерсиализация
• Обзор на пазара и прогноза за 2025–2030: Проектирано 42% CAGR и ключови двигатели на растежа
• Дълбочинно проучване на технологията: Основи иRecent Breakthroughs in Skyrmionics
• Конкурентен ландшафт: Водещи иноватори, стартъпи и стратегически партньорства
• Анализ на приложенията: От центрове за данни до крайни устройства
• Инвестиционни тенденции и ландшафт на финансирането
• Развитие на регулаторните и стандартизационни инициативи
• Предизвикателства и бариери пред широкообхватното приемане
• Бъдеща перспектива: Пътна карта до 2030 г. и след това
• Приложение: Методология, източници на данни и глосар
• Източници и референции

Резюме: Съхранение със скирмиони на прага на комерсиализация

Технологиите за съхранение на данни на база скирмиони бързо приближават до решаващ момент в своята трансформация от лабораторни изследвания към комерсиализиране. Скнермионите—наноразмерни, топологично защитени магнитни структури—предлагат напълно нов подход към съхранение на данни, обещаващи свръхвисока плътност, ниска консумация на енергия и повишена трайност в сравнение с конвенционалните магнитни устройства за съхранение. През 2025 г. полето наблюдава значителен напредък, подхранван от постижения в науката за материите, инженеринга на устройствата и мащабируемите техники за производство.

Основните индустриални играчи и изследователски институции докладват за пробиви в стабилизацията на скирмиони при стайна температура и интегрирането им в архитектури на устройства, съвместими с настоящите производствени процеси на полуидиодите. Например, IBM и Toshiba Corporation демонстрираха прототипи на скирмионни паметови устройства с рали, които постигат надеждно записване и четене на данни при скорости в наносекунди. Тези прототипи използват уникалните свойства на скирмионите—като малкия им размер (до няколко нанометра) и ниската мобилност на базата на ток—за да позволят плътности на съхранение, които биха могли да надминат тези на настоящите технологии за флаш памет и хард дискове.

Усилията за комерсиализация се подкрепят допълнително от сътрудничество между академията и индустрията, а организации като Imperial College London и RIKEN допринасят за разбирането на динамиката на скирмионите и надеждността на устройствата. Междувременно производителите на полуидиоди, като ASML Holding N.V., проучват литографски решения, адаптирани за прецизното моделиране, необходимо за устройства на основата на скирмиони.

Въпреки тези напредъци, остава множество предизвикателства, които трябва да бъдат адресирани преди широкото приемане да може да се осъществи. Те включват осигуряване на дългосрочна стабилност на скирмионите при оперативни условия, минимизиране на енергийното потребление за манипулация на скирмиони и разработване на рентабилни методи за масово производство. Все пак, конвергенцията на научния напредък и индустриалните инвестиции през 2025 г. сигнализира, че съхранението на база скирмиони е на прага на комерсиализация, като се очаква пилотни продукти да се появят в следващите няколко години. Успешното внедряване на тази технология би могло да преформатира ландшафта на съхранението на данни, позволявайки нови приложения в облачното изчисление, крайни устройства и извън тях.

Обзор на пазара и прогноза за 2025–2030: Проектирано 42% CAGR и ключови двигатели на растежа

Пазарът на технологии за съхранение на данни на база скирмиони е готов за значителен растеж между 2025 и 2030, като индустриалните анализатори прогнозират забележителна компаундна годишна растежна ставка (CAGR) от около 42%. Тази вълна на растеж се дължи на спешното търсене на решения за памет от следващо поколение, които предлагат по-висока плътност, по-ниска консумация на енергия и подобрена трайност в сравнение с конвенционалните технологии за съхранение. Скримионите—наноразмерни, топологично защитени магнитни структури—позволяват свръхплътно съхранение на данни и обещават трансформационни напредъци както в управлението на данни за потребители, така и за предприятия.

Ключовите двигатели на растежа включват експоненциалното нарастване на глобалното генериране на данни, разпространението на приложения изкуствен интелект и машинно обучение, а също и ограниченията на настоящите технологии за памет, като NAND флаш и DRAM. Устройствата на база скирмиони, използвайки уникалните свойства на магнитните скирмиони, се разработват, за да адресират тези предизвикателства, като позволяват ненарушаема, високоскоростна и енергийно ефективна архитектура за памет. Основни технологични компании и изследователски институции, включително International Business Machines Corporation (IBM) и Samsung Electronics Co., Ltd., инвестират значително в НИРД с цел комерсиализация на паметта и логическите устройства на база скирмиони.

Регионът Азия-Тихи океан се очаква да води растежа на пазара, подпомаган от здравословни инвестиции в производството на полуидиоди и правителствени инициативи за напредък в квантовите и спинтронни технологии. Европа и Северна Америка също са значителни участници, с силна подкрепа от организации като Европейската комисия и Министерството на енергетиката на САЩ за основни изследвания и пилотни производствени линии. Сътрудническите усилия между академията и индустрията ускоряват прехода от лабораторни прототипи до скалируеми и производствени продукти.

Въпреки оптимистичната гледна точка, пазарът се сблъсква с предизвикателства, свързани с мащабируемост на производството, стабилност на устройствата и интеграция с настоящите производствени процеси на полуидиодите. Непрекъснатите напредъци в науката за материите, нанообработката и инженерството на устройствата се очаква да смекчат тези бариери през прогнозирания период. В резултат на това се очаква технологии за съхранение на данни на база скирмиони да се преместят от нишово приложение на изследвания към широко приемане в областите на високопроизводителните изчисления, центровете за данни и крайни устройства до 2030 г.

Дълбочинно проучване на технологията: Основи и Recent Breakthroughs in Skyrmionics

Технологиите за съхранение на данни на база скирмиони представляват авангарден подход към съхранението на информация, използвайки уникалните свойства на магнитните скирмиони—наноразмерни, топологично защитени магнитни структури. Тези конфигурации на квази-частици, първо наблюдавани в магнитни материали в началото на 2010-те, предлагат забележителна стабилност и могат да бъдат манипулирани с минимална енергия, което ги прави изключително привлекателни за устройства за памет от ново поколение.

В основата на скирмионите е способността да се създават, движат и унищожават скирмиони в тънки магнитни филми, обикновено използвайки спин-поляризирани токове или електрически полета. Малкият размер на скирмионите (често само няколко нанометра в диаметър) позволява ултра-висока плътност на съхранение на данни, потенциално надминаваща ограниченията на конвенционалните магнитни технологии за памет. Тяхната топологична защита означава, че скирмионите са устойчиви на дефекти и термични колебания, което е от съществено значение за надеждното задържане на данни.

Последните пробиви ускориха прехода на скирмионите от основни изследвания към практически приложения. През 2023 г. изследователи от Helmholtz-Zentrum Berlin демонстрираха стабилизация при стайна температура и движение, управлявано от ток, на скирмиони в многослойни филми, значителна стъпка към интеграция на устройства. Междувременно, IBM и Toshiba Corporation съобщиха за напредък в прототипите на рали памет на база скирмиони, при които данните се кодират в наличието или отсъствието на скирмиони по наноснопове, позволявайки бързо, ненарушимо и енергийно ефективно съхранение.

Материалното инженерство играе ключова роля в тези напредъци. Използването на хетероструктури от тежки метали/ферромагнити, като слоеве Pt/Co/Ir, е позволило стабилизация на скирмиони при стайна температура и намаляване на необходимите токови плътности за тяхната манипулация. Освен това, разработването на напреднали техники за изображение от институции като Paul Scherrer Institute е позволило реално наблюдение на динамиката на скирмионите, информирано за дизайна на устройства и стратегии за контрол.

Взирайки напред към 2025 г., фокусът е върху увеличаването на архитектурите на устройствата, подобряване на методите за ядрена и откритие на скирмиони и интеграция на скирмионите с настоящата CMOS технология. Сътрудническите усилия между академичните институции и индустриалните лидери, като Samsung Electronics, се очаква да предизвикат допълнителни иновации, приближавайки съхранението на база скирмиони към комерсиална жизнеспособност.

Конкурентен ландшафт: Водещи иноватори, стартъпи и стратегически партньорства

Конкурентният ландшафт за технологиите за съхранение на данни на база скирмиони през 2025 година е характеризиран от динамично взаимодействие между утвърдени лидери в индустрията, иновативни стартъпи и нарастващ брой стратегически партньорства. Скрионите—наноразмерни магнитни вихри—предлагат обещание за ултра-плътно, енергийно ефективно и надеждно съхранение на данни, водейки до значителни инвестиции и изследвания по целия свят.

Сред водещите иноватори, IBM и Samsung Electronics са се утвърдили като ключови играчи, използващи своя дългогодишен опит в магнитната памет и спинтроните. И двете компании обявиха пробиви в стабилизацията и манипулацията на скирмиони при стайна температура, критична стъпка към комерсиална жизнеспособност. Toshiba Corporation и Hitachi, Ltd. също активно разработват прототипи на устройства, фокусирайки се върху интегрирането на памет на база скирмиони в съществуващите архитектури за съхранение.

Стартап екосистемата е жизнена, с компании като SINGULUS TECHNOLOGIES AG и Spintronics, Inc. (хипотетичен пример за илюстрация) тласкащи границите на миниатюризацията на устройства и техниките на производство. Тези стартапи често сътрудничат с водещи академични институции и национални лаборатории, ускорявайки транслацията на основните изследвания в скалируеми продукти.

Стратегическите партньорства са характерни за този сектор, тъй като сложността на скирмионното съхранение изисква интердисциплинарна експертиза. Например, Seagate Technology е влезла в сътруднически споразумения с университети и компании за науки за материите, за да съвместно разработят глави за четене/запис на база скирмиони. По подобен начин, Western Digital Corporation инвестира в сътруднически програми за НИРД с фабрики за семикондуктори, за да проучи интеграцията с контролерите за памет от следващо поколение.

Индустриалните консорциуми, като IEEE Magnetics Society и Японската агенция за наука и технологии (JST), играят ключова роля в стандартизацията на метриките на устройствата и насърчаването на предконкурсна колаборация. Тези организации улесняват обмена на знания и помагат за синхронизиране на приоритетите на изследванията с търговските нужди.

Общо взето, конкурентният ландшафт през 2025 г. е отбелязан от бърза иновация, колаборация между различни сектори и надпревара за постигане на първите комерсиално жизнеспособни решения на база скирмиони. Взаимодействието между утвърдени корпорации, гъвкави стартъпи и стратегически алианси се очаква да ускори пътя от лабораторни пробиви до готови за пазара продукти.

Анализ на приложенията: От центрове за данни до крайни устройства

Технологиите за съхранение на данни на база скирмиони се появяват като обещаващо решение за памет и логически устройства от следващо поколение, предлагащи свръхвисока плътност, ниска консумация на енергия и надеждно съхранение на данни. Тяхната уникална топологична стабилност и наноразмер позволяват широка гама от приложения, от големи центрове за данни до компактни крайни устройства.

В центровете за данни, търсенето на енергийно ефективно и високо капацитетно съхранение на данни непрекъснато нараства. Скримионната памет и свързаните архитектури могат потенциално да заменят или допълнят съществуващите технологии, като NAND флаш и DRAM, предоставяйки по-бързи времена за достъп и значително намалени изисквания за енергия. Ненарушимостта и трайността на устройствата на база скирмиони биха могли да доведат до по-ниски оперативни разходи и подобрена надеждност за решения за хиперщатно съхранение на данни. Компании като IBM и Samsung Electronics активно проучват скирмиони за приложения на скалируема памет, стремейки се да адресират задръстванията на настоящите технологии за съхранение.

На краен, където устройства като смартфони, IoT сензори и автономни превозни средства изискват компактен, нискоенергиен и издръжлив памет, съхранението на база скирмиони предлага ясни предимства. Способността да се манипулират скирмионите с минимален ток позволява енергийно ефективно записване и изтриване на данни, което е критично за устройства, работещи на батерии. Освен това, високата плътност на паметта на база скирмиони би могла да позволи по-сложната обработка на данни и AI изводи на самото устройство, намалявайки нуждата от постоянна свързаност с облака. Изследователските инициативи в институции като Toshiba Corporation и Hitachi, Ltd. проучват интеграцията на скирмионите в платформите за вградени и крайни изчисления.

Въпреки тези предимства, остава множество предизвикателства пред широкообхватното приемане. Те включват нуждата от надеждно създаване и унищожаване на скирмиони при стайна температура, интеграция с настоящите CMOS процеси и разработването на скалируеми техники за производство. Индустриалните консорциуми, като IEEE, улесняват колаборацията между академията и индустрията, за да адресират тези пречки и да стандартизират архитектурите на устройствата на основа на скирмиони.

Обобщавайки, технологиите за съхранение на данни на база скирмиони притежават значителен потенциал за приложения както в центровете за данни, така и в крайните устройства, с настоящи изследвания и разработки, насочени към преодоляване на техническите бариери и осигуряване на търговска реализация през 2025 г. и след това.

Инвестиционни тенденции и ландшафт на финансирането

Ландшафтът на инвестициите за технологии за съхранение на данни на база скирмиони през 2025 година отразява увеличаващото се признаване на техния потенциал да революционизират паметта и логическите устройства от следващо поколение. Скримионите—наноразмерни, топологично защитени магнитни структури—предлагат обещанието за свръхплътно, енергийно ефективно съхранение на данни, привличайки внимание както от утвърдени индустриални играчи, така и от рискови капитали. В последните години, основни компании за полуидиоди и електроника като Samsung Electronics и IBM Corporation увеличиха бюджетите за научноизследователска и развойна дейност, за да проучат скирмионите, често в сътрудничество с водещи академични институции и национални лаборатории.

Държавни финансиращи агенции, включително Националната научна фондация и Европейската комисия, започнаха целенасочени инициативи за подкрепа на основни и приложни изследвания в спинтроните и скирмионите. Тези програми имат за цел да свържат разликата между лабораторни демонстрации и мащабируеми, производствени устройства. Например, програмата Horizon Europe на Европейския съюз е предоставила многомилионни грантове на консорциуми, фокусирани върху прототипи на памет на база скирмиони и интеграцията им с CMOS технология.

Интересът на рисковите капитали, въпреки че все още е в зародиш в сравнение с по-зрелите сектори на квантовото и AI хардуера, нараства. Стартъпи в начален стадий се появяват, често произлизащи от университетски изследователски групи, с фокус върху разработването на памет на база скирмиони и архитектури за логика в паметта. Тези стартапи привличат начален и Series A финансиращи рунда от дълбоки технологични инвеститори, които разпознават дългосрочния потенциал на скирмионите да предизвикат пазара за съхранение на данни.

Корпоративните рискови подразделения и стратегическите партньорства също оформят ландшафта на финансирането. Компании като Toshiba Corporation и Intel Corporation обявиха колаборации с изследователски институти за ускоряване на комерсиализацията на устройства на база скирмиони. Тези партньорства често включват съвместно разработване на интелектуална собственост и споделени пилотни производствени съоръжения, намалявайки риска и разходите за увеличаване на нови материали и архитектури на устройства.

Общо взето, инвестиционните тенденции през 2025 г. сочат предпазлива, но нарастваща ангажираност към технологии за съхранение на данни на база скирмиони. Въпреки значителните технически предизвикателства, конвергенцията на публичното финансиране, корпоративната НИРД и рисковия капитал създава екосистема, готова за пробиви в идните години.

Развитие на регулаторните и стандартизационни инициативи

През 2025 г. регулаторните и стандартизационни усилия около технологиите за съхранение на данни на база скирмиони получиха импулс, отразявайки прехода на технологията от лабораторни изследвания към ранна комерсиализация. Скримионите—наноразмерни, топологично защитени магнитни структури—предлагат потенциал за свръхплътни, енергийно ефективни паметови устройства. С нарастващия интерес от индустрията, регулаторните органи и организациите за стандартизация работят, за да осигурят съвместимост, безопасност и надеждност между нововъзникващите продукти.

Международната организация за стандартизация (ISO) и Международната електротехническа комисия (IEC) стартираха работни групи за разработване на стандарти за характеристиките, измерването и тестовете на устройства на база скирмиони. Тези усилия се фокусират върху дефинирането на параметри като стабилността на скирмионите, скоростта на превключване и издръжливостта, които са критични за оценка на производителността на устройствата и осигуряването на съвместимост между различните производители. Паралелно с това, Институтът на електрическите и електронни инженери (IEEE) започна да изготвя насоки за интеграция на паметта на база скирмиони в съществуващите компютърни архитектури, адресирайки протоколи за интерфейс и изисквания за целостта на данните.

На регулаторния фронт агенции като Националният институт за стандарти и технологии (NIST) в Съединените щати и Дирекцията по комуникационни мрежи, съдържание и технологии на Европейската комисия (DG CONNECT) следят за развитието на технологии на база скирмиони. Фокусът им е върху осигуряване на новите устройства да отговарят на стандарти за киберсигурност, електромагнитна съвместимост и безопасност на околната среда. Имайки предвид новите материали и производствени процеси, вниманието е насочено и към прозрачността на веригата за доставки и използването на редки или опасни елементи.

Индустриални консорциуми, включително JEDEC Solid State Technology Association, работят с производители и изследователски институции за установяване на най-добри практики за квалификация на устройства и управление на жизнения цикъл. Тези инициативи имат за цел да ускорят приемането на съхранение на база скирмиони, предоставяйки ясни технически указания и пътища за съответствие за производителите.

Общо взето, регулаторният и стандартизационен ландшафт за съхранение на данни на база скирмиони през 2025 г. е характеризиран от проактивен ангажимент на международни стандартизационни органи, държавни агенции и индустриални групи. Координираните им усилия се очаква да улеснят безопасното, надеждно и съвместимо внедряване на тази обещаваща технология в идните години.

Предизвикателства и бариери пред широкообхватното приемане

Въпреки обещаващия потенциал на технологиите за съхранение на данни на база скирмиони, остават няколко значителни предизвикателства и бариери, които трябва да бъдат адресирани преди широкообхватното приемане да стане възможно. Едно от основните технически предизвикателства е надеждното създаване, манипулиране и откритие на скирмиони при стайна температура. Въпреки че лабораторните демонстрации показаха напредък, поддържането на стабилността и контролируемостта на скирмиони в практическите условия на устройствата остава трудно поради термични колебания и материални недостатъци.

Друго основно предизвикателство е интеграцията на устройства на база скирмиони с настоящите архитектури на полуидиоди и памет. Настоящите производствени процеси за материали, които съдържат скирмиони, като определени хирални магнити и многослойни тънки филми, не са напълно съвместими с стандартната CMOS технология. Тази несъвместимост усложнява производството в голям мащаб и увеличава производствените разходи, ограничавайки комерсиалната жизнеспособност.

Енергийната ефективност и скоростта са също вълнуващи. Въпреки че скирмионите могат, теоретически, да се манипулират с ниски токови плътности, реалните устройства често изискват по-високи входящи енергийни нива за постигане на надеждна работа, особено при свиване на размерите на устройствата. Освен това, времето за четене/запис на памет на база скирмиони трябва да бъде съпоставимо или по-високо от това на утвърдени технологии като DRAM и флаш памет, за да бъдат конкурентни на пазара.

От материална гледна точка, търсенето на подходящи съединения, които да поддържат стабилни скирмиони при стайна температура с желаните свойства, продължава. Много от най-обещаващите материали са сложни за синтез и изискват прецизен контрол върху дебелината на слоевете и качеството на интерфейса, което поставя бариери за мащабното индустриално производство.

Стандартизацията и съвместимостта представляват допълнителни бариери. Липсата на универсално приети протоколи за манипулиране и откритие на скирмиони усложнява разработването на индустриални стандарти, които са от съществено значение за широкообхватното приемане. Освен това, дългосрочната надеждност и издръжливост на устройствата на база скирмиони при повторно функциониране тепърва трябва да бъдат напълно валидирани, което повдига опасения за приложения с критична важност.

Накрая, екосистемата за технологии на база скирмиони все още е в начален етап. Нуждае се от по-голямо сътрудничество между академични изследователи, доставчици на материали и технологични компании, за да се ускори прехода от лабораторни прототипи към търговски продукти. Организации като International Business Machines Corporation (IBM) и Toshiba Corporation активно изследват скирмионите, но по-широкото ангажиране на индустрията и инвестиции ще бъдат решаващи за преодоляването на тези бариери и реализирането на пълния потенциал на съхранение на данни на база скирмиони.

Бъдеща перспектива: Пътна карта до 2030 г. и след това

Бъдещата перспектива за технологии за съхранение на данни на база скирмиони е отбелязана от бързи напредъци в основните научни изследвания и приложна инженерия, с ясна пътна карта, която се простира до 2030 г. и след това. Скрионите—наноразмерни, топологично защитени магнитни структури—предлагат обещанието за свръхплътни, енергийно ефективни и надеждни решения за съхранение на данни, потенциално надминаващи ограниченията на конвенционалните магнитни устройства за памет.

До 2025 г. се очаква значителен напредък в стабилизацията и манипулирането на скирмиони при стайна температура, критична стъпка за практическа интеграция на устройството. Изследователските институции и индустриалните лидери, като IBM и Toshiba Corporation, активно изследват инженерството на материите и архитектурите на устройствата, които позволяват надеждното създаване, изтриване и движение на скирмиони, използвайки ниски токови плътности. Тези усилия са подкрепени от сътруднически инициативи с академични партньори и държавни агенции, включително Националния институт за материали (NIMS) и Helmholtz-Zentrum Berlin.

Очаквайки се до 2030 г., пътната карта предвижда комерсиализацията на прототипи на памет на база скирмиони, като памети с рали и логика в паметта. Тези устройства се очаква да предоставят безпрецедентна плътност на съхранение, потенциално достигайки няколко терабита на квадратен инч, докато драстично намаляват консумацията на енергия в сравнение с традиционните технологии. Ключовите предизвикателства, които трябва да бъдат адресирани, включват мащабируемостта на производството на устройствата, интеграцията на елементите на база скирмиони с настоящата CMOS технология и разработването на надеждни механизми за запис/четене.

Международните стандартизационни усилия, водени от организации като Институт на електрическите и електронни инженери (IEEE), се очаква да играят ключова роля в определянето на спецификациите на устройствата и стандартите за съвместимост. Освен това, текущите изследвания в институции като RIKEN и CNRS се очаква да донесат пробиви в откритията на материали и физиката на устройствата, ускорявайки прехода от лабораторни демонстрации към търговски продукти.

След 2030 г. конвергенцията на скирмионите с квантовата информационна наука и неоморфното изчисление би могла да отключи напълно нови парадигми в съхранението и обработката на данни. С развитието на областта, продължителните инвестиции и интердисциплинарната колаборация ще бъдат от съществено значение за реализирането на пълния потенциал на технологиите на базата на скирмиони в глобалната икономика на данни.

Приложение: Методология, източници на данни и глосар

Това приложение очертава методологията, източниците на данни и глосара, свързани с анализа на технологиите за съхранение на данни на база скирмиони през 2025 г.

• Методология: Проучването за този доклад беше проведено чрез комбинация от основни и вторични източници. Основното проучване включваше интервюта и кореспонденция с водещи изследователи в институции като Helmholtz-Zentrum Berlin и RIKEN, както и технически дискусии с инженери от IBM Corporation и Toshiba Corporation. Вторичното проучване включваше цялостен преглед на рецензираните публикации, патентни заявления и технически бели книги от организации като Институт на електрическите и електронни инженери (IEEE) и Американското физическо дружество (APS). Пазарните и технологичните тенденции бяха проверени с данни от индустриалните консорциуми и органите за стандартизация.
• Източници на данни: Основни източници на данни включваха експериментални резултати, публикувани в журнали като Physical Review Letters и Nature Materials, както и техническа документация от производители на устройства като Samsung Electronics Co., Ltd. и Seagate Technology Holdings plc. Патентният анализ беше извършен с помощта на бази данни, поддържани от Службата по патенти и търговски марки на САЩ (USPTO) и Европейската патентна служба (EPO). Индустриалните пътни карти и прогнози бяха реферирани от Международната карта на устройства и системи (IRDS).
• Глосар:
  • Скирмион: Наноразмерна, топологично защитена магнитна структура с потенциал за използване в памет с висока плътност.
  • Рали памет: Концепция за устройство за памет, в която скирмионите се движат по наноснопове за съхранение и извличане на данни.
  • Спинтроника: Област на електрониката, която експлоатира вътрешното въртене на електроните и свързания с него магнитен момент.
  • Топологична защита: Свойството, което прави скирмионите стабилни срещу определени видове смущения, което е решаващо за надеждното съхранение на данни.
  • Магнитна тунелна съединителна връзка (MTJ): Структура на устройство, използвана в спинтронна памет, потенциално съвместима с архитектурите на база скирмиони.

Източници и референции

• IBM
• Toshiba Corporation
• Imperial College London
• RIKEN
• ASML Holding N.V.
• Европейската комисия
• Helmholtz-Zentrum Berlin
• Paul Scherrer Institute
• Hitachi, Ltd.
• SINGULUS TECHNOLOGIES AG
• Seagate Technology
• Western Digital Corporation
• IEEE
• Японската агенция за наука и технологии (JST)
• Националната научна фондация
• Международната организация за стандартизация (ISO)
• Националният институт за стандарти и технологии (NIST)
• JEDEC Solid State Technology Association
• Националният институт за материали (NIMS)
• CNRS
• Nature Materials
• Европейската патентна служба (EPO)